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新聞詳情

IGBT模塊常用的功率器件

日期:2026-01-18 14:56
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摘要:
  變頻器向前發(fā)展,一直是隨著電力電子器件的發(fā)展而發(fā)展。只要電力電子器件有了新的飛躍,變頻器就一定有個(gè)新飛躍,必定有新的變頻器出現(xiàn)。在20世紀(jì)50年代出現(xiàn)了硅晶閘管(SCR);60年代出現(xiàn)可關(guān)斷晶閘管(GTO晶閘管);70年代出現(xiàn)了高功率晶體管(GTR)和功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET);80年代相繼出現(xiàn)了絕緣柵雙極功率晶體管(IGBT)以及門控晶閘管(IGCT)和電力加強(qiáng)注入型絕緣柵極晶體管(IEGT),90年代出現(xiàn)智能功率模塊(IPM)。由于這些元器件的出現(xiàn),相應(yīng)出現(xiàn)了以這些逆變器件為主的變頻器,反過(guò)來(lái),變頻器要求逆變器件有個(gè)理想的靜態(tài)特性:在阻斷狀態(tài)時(shí),能承受高電壓;在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),能大電流通過(guò)和低的導(dǎo)通壓降,損耗小,發(fā)熱量小;在開(kāi)關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí),具有短的開(kāi)、關(guān)時(shí)間,即開(kāi)關(guān)頻率高,而且能承受高的du/dt;全控功能,壽命長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)緊湊、體積小等特點(diǎn),當(dāng)然還要求成本低。上述這些電力電子器件有些是滿足部分要求,有些是逐步向這個(gè)方向發(fā)展,達(dá)到完善的要求,特別是中(高)壓變頻器更需要耐壓高的元器件。
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