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可控硅結(jié)構(gòu) 大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2(a）〕：**層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層...發(fā)布時(shí)間：2013-11-30 點(diǎn)擊次數(shù)：990 次
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可控硅概念 可控硅，是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)等特點(diǎn)，是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。該器件被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)...發(fā)布時(shí)間：2013-11-29 點(diǎn)擊次數(shù)：1013 次
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IGBT模塊保管時(shí)的注意事項(xiàng) 一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5～35℃，常濕的規(guī)定在45～75％左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機(jī)加濕;盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合；在溫度發(fā)生急...發(fā)布時(shí)間：2013-11-24 點(diǎn)擊次數(shù)：1089 次
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IGBT模塊使用注意事項(xiàng) IGBT模塊使用中要注意以下幾點(diǎn)： 在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之...發(fā)布時(shí)間：2013-11-23 點(diǎn)擊次數(shù)：1055 次
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FERRAZ熔斷器的應(yīng)用 熔斷器的主要功用是過載或短路保護(hù)。1．熔斷器的使用熔斷器使用時(shí)必須串聯(lián)在被保護(hù)的電路中，并應(yīng)接在電源相線輸入端，如圖7-94所示。平時(shí)熔斷器中的熔絲相當(dāng)于一截導(dǎo)線，對(duì)電路無影響。一旦電路或電器設(shè)備發(fā)生短路或...發(fā)布時(shí)間：2013-11-21 點(diǎn)擊次數(shù)：1087 次
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變頻器IGBT模塊的選定 變頻器（Variable-frequencyDrive，VFD）是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù)，通過變更電機(jī)工作電源頻率方式來控制交流電動(dòng)機(jī)的電力控制設(shè)備。變頻器主要由整流（交流變直流）、濾波、再次整流（直流...發(fā)布時(shí)間：2013-11-17 點(diǎn)擊次數(shù)：1034 次
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美國CDE電容的定義 電容是指容納電場(chǎng)的能力。任何靜電場(chǎng)都是由許多個(gè)電容組成，有靜電場(chǎng)就有電容，電容是用靜電場(chǎng)描述的。一般認(rèn)為：孤立導(dǎo)體與無窮遠(yuǎn)處構(gòu)成電容，導(dǎo)體接地等效于接到無窮遠(yuǎn)處，并與大地連接成整體。 電容（或稱電容量...發(fā)布時(shí)間：2013-11-15 點(diǎn)擊次數(shù)：1167 次
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美國CDE電容特點(diǎn) 一、電解電容器特點(diǎn)一：?jiǎn)挝惑w積的電容量非常大，比其它種類的電容大幾十到數(shù)百倍。二、額定的容量可以做到非常大，可以輕易做到幾萬μf甚至幾f（但不能和雙電層電容比）。三、價(jià)格比其它種類具有壓倒性優(yōu)勢(shì)，因?yàn)殡娊怆娙莸?..發(fā)布時(shí)間：2013-11-13 點(diǎn)擊次數(shù)：1037 次
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FERRAZ熔斷器常見種類 插入式熔斷器：它常用于380V及以下電壓等級(jí)的線路末端，作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護(hù)用。 螺旋式熔斷器：熔體上的上端蓋有一熔斷指示器，一旦熔體熔斷，指示器馬上彈出，可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到，它常用于...發(fā)布時(shí)間：2013-11-10 點(diǎn)擊次數(shù)：982 次
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FERRAZ熔斷器結(jié)構(gòu)特性 熔體額定電流不等于熔斷器額定電流，熔體額定電流按被保護(hù)設(shè)備的負(fù)荷電流選擇，熔斷器額定電流應(yīng)大于熔體額定電流，與主電器配合確定。熔斷器主要由熔體、外殼和支座3部分組成，其中熔體是控制熔斷特性的關(guān)鍵元件。熔體...發(fā)布時(shí)間：2013-11-08 點(diǎn)擊次數(shù)：1011 次
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FERRAZ熔斷器簡(jiǎn)介 FERRAZ熔斷器是一種過電流保護(hù)器。熔斷器主要由熔體和熔管以及外加填料等部分組成。使用時(shí)，將熔斷器串聯(lián)于被保護(hù)電路中，當(dāng)被保護(hù)電路的電流超過規(guī)定值，并經(jīng)過一定時(shí)間后，由熔體自身產(chǎn)生的熱量熔斷熔體，使電路...發(fā)布時(shí)間：2013-11-06 點(diǎn)擊次數(shù)：909 次
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快速熔斷器詳細(xì)信息 波繞組線圈的換向器節(jié)距式中P為磁極對(duì)數(shù);k為換向片數(shù)；a為使Ys等于整數(shù)的正整數(shù)，它等于波繞組的并聯(lián)支路對(duì)數(shù)。單波繞組的a＝1，而a=2的復(fù)波繞組稱雙波繞組,它可以看成是由兩個(gè)單波繞組并聯(lián)而成的復(fù)波繞組,...發(fā)布時(shí)間：2013-10-20 點(diǎn)擊次數(shù)：955 次
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高頻無感電容特點(diǎn)與用途 1.采用聚丙烯薄膜作介質(zhì)，用特制電極將圓柱形芯子內(nèi)部連接成串聯(lián)結(jié)構(gòu)，芯子外包裹塑料膠帶，兩端用阻燃環(huán)氧樹脂封裝而成。2.具有自感小、等效串聯(lián)電阻低、損耗小、絕緣電阻高、頻率特性好和能經(jīng)受高電壓、大電流沖擊等特...發(fā)布時(shí)間：2013-10-19 點(diǎn)擊次數(shù)：1041 次
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IPM模塊、IGBT單管、IGBT模塊之間的區(qū)別 1，IGBT單管：IGBT，封裝較模塊小，電流通常在100A以下，常見有TO247等封裝,sg本人常用。2，IGBT模塊：模塊化封裝就是將多個(gè)IGBT集成封裝在一起。3，PIM模塊：集成整流橋+制動(dòng)單元（PF...發(fā)布時(shí)間：2013-10-17 點(diǎn)擊次數(shù)：1105 次
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IGBT模塊如何測(cè)量？ 用萬用表R×10K檔，IGBT模塊與單管量測(cè)方法相同，思路是：叫它關(guān)，關(guān)沒關(guān)？叫它開，開沒開？1、黑筆接發(fā)射極e，紅筆搭一下柵極g(表示為：黑-e,紅-g，下同)，這一步是“強(qiáng)制關(guān)斷”操作。2、紅-e...發(fā)布時(shí)間：2013-10-13 點(diǎn)擊次數(shù)：885 次
